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一种导电聚3,4-乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法

发布者：

系统发布

联系方式：

平台代办

申请（专利权）人：

华南理工大学

发明（设计）人：

价格类型：

面议

价格：

面议

专利号：

CN201310561809.7

分类名称：

专利类型：

发明

专利状态：

已下证

授权日期：

2018-04-27

合作方式：

专利转让

摘要：

本发明公开了一种导电聚3,4 乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法。本发明所述方法为在聚合物基材表面制作氧化剂膜后浸入3,4 乙撑二氧噻吩溶液,使3,4 乙撑二氧噻吩单体在聚合物基材表面氧化聚合,生成导电聚3,4 乙撑二氧噻吩复合膜。本发明的优点有:3,4 乙撑二氧噻吩在聚合物基材表面液相沉降聚合,所需设备简单,工艺调控方便,原料利用率高。易于采用连续加工工艺制作大面积、高品质导电聚3,4 乙撑二氧噻吩复合膜。

附图：