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一种n型氧化亚铜薄膜及其制备方法
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深圳大学
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CN201510280535.3
发明
已下证
2017-06-23
开放性许可
本发明公开了一种n型氧化亚铜及其制备方法,其中,所述制备方法采用反应性双靶共溅射的方法,以铜靶材和铟靶材作为溅射靶材,以硅片或K9玻璃作为衬底,以高纯氧气和氩气作为溅射气体;所述溅射铜靶材的纯度为99.99%,铟靶材的纯度为99.999%;所述铜靶位上的功率为16.5W,所述铟靶位上的功率为10W。本发明所述制备方法可控性强,可实现n型氧化亚铜薄膜的大面积、均匀生长,并且所述制备方法成本低。另外本发明所沉积的n型氧化亚铜薄膜具有良好的附着性和重复性,其吸收系数高、无毒环保,用其所制成的太阳能电池的转化效率高。