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生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜及其制备方法
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华南理工大学
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CN201210535131.0
发明
已下证
2016-06-22
专利转让
本发明公开了生长在LiGaO2衬底上的掺杂GaN薄膜,包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性掺杂GaN薄膜;所述非极性GaN薄膜为非极性p型GaN薄膜或非极性n型GaN薄膜。本发明还公开了上述非极性掺杂GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比,本发明具有生长工艺简单,制备成本低廉的优点,且制备的非极性掺杂GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好,电学性能好。
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