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QFN封装材料及其制备方法及其应用
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广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 广州惠利电子材料有限公司
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CN202211722479.0
发明
已下证
2023-10-13
专利转让
本发明涉及半导体封装技术领域,特别涉及QFN封装材料及其制备方法及其应用。所述QFN封装材料,包括以下质量百分比的原料:双酚A型环氧树脂2wt%~12wt%;脂环族环氧树脂2wt%~12wt%;萘型环氧树脂0wt%~5wt%;四官能团环氧树脂0wt%~5wt%;环氧树脂固化剂10wt%~20wt%;固化促进剂0.2wt~1wt%;无机填料60wt%~80wt%;功能助剂0.2wt~1wt%。本发明可显著提高QFN封装材料的储能模量,使其耐热、耐形变能力强,避免翘曲问题。同时,所得QFN封装材料热膨胀系数小,可靠性高,成本低。