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基于二噻吩并苯并咪唑的无掺杂空穴传输材料及其制备方法与在钙钛矿太阳能电池中的应用

发布者：

系统发布

联系方式：

平台代办

申请（专利权）人：

华南理工大学

发明（设计）人：

价格类型：

面议

价格：

面议

专利号：

CN202010367252.3

分类名称：

专利类型：

发明

专利状态：

已下证

授权日期：

2021-08-10

合作方式：

专利转让

摘要：

本发明公开了一种基于二噻吩并苯并咪唑的无掺杂空穴传输材料及其制备方法与在钙钛矿太阳能电池中的应用。该类空穴传输材料是以二噻吩并苯并咪唑基团为核心,三苯胺基团为供体的新型无掺杂空穴传输材料。本发明的无掺杂空穴传输材料引入了大共轭核心结构能够促进分子间的π π堆积,提高空穴迁移率,外围三苯胺基团使材料具有良好的溶解性和成膜性。所述材料利用的原料成本低,合成步骤简单。通过光物理性质、电化学性能和热稳定性测试表明,该类无掺杂空穴传输材料能级与钙钛矿活性层相匹配,热稳定性好。将该无掺杂空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中,获得了最高达16.9%的光电转化效率,展现出良好的应用前景。

附图：