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一种氮离子掺杂的氧化锌基压敏电阻器及其制备方法
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华南理工大学
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CN201910837897.6
发明
已下证
2021-09-21
专利转让
本发明涉及压敏电阻器及其制备技术,为氮离子掺杂的氧化锌基压敏电阻器及其制备方法。该压敏电阻器包含的各组分含量为:主成分,ZnO 100份;实现氮离子掺杂的副成分,1~3份;金属化合物副成分,2.802~5.005份。制备时先将各成分混合制成喷雾浆料;再喷雾干燥造粒;干压成型后排胶并烧结。本发明相较于未进行氮掺杂的对比组压敏电阻器而言,提高了压敏电压梯度与非线性系数,并降低了残压比,综合性能得到了提升。