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一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法

发布者：

系统发布

联系方式：

平台代办

申请（专利权）人：

深圳大学

发明（设计）人：

价格类型：

一口价

价格：

专利号：

CN202110442127.9

分类名称：

专利类型：

发明

专利状态：

已下证

授权日期：

2022-11-01

合作方式：

开放性许可

摘要：

本发明公开了一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法,其中,硒化铟光电探测器包括基底、设置在所述基底上的n型硒化铟膜层、设置在所述n型硒化铟膜层上的p型硒化亚锡纳米晶,以及设置在所述基底上且与所述n型硒化铟膜层两端分别连接的第一电极和第二电极。本发明通过在不改变硒化铟膜层的微观结构前提下,在其表面修饰p型硒化亚锡纳米晶构成局域的异质结,在光照下,异质结可使所述n型硒化铟膜层与p型硒化亚锡纳米晶的界面处产生大量的电子与空穴,而光生电子空穴会在硒化亚锡纳米晶与硒化铟膜层构成的异质结处迅速分离,从而能够有效提高所制备的光电探测器的光暗电流比、光响应度及比探测率。

附图：