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一种紫外LED外延结构

发布者：

系统发布

联系方式：

平台代办

申请（专利权）人：

华南师范大学

发明（设计）人：

价格类型：

一口价

价格：

专利号：

CN201910401361.X

分类名称：

专利类型：

发明

专利状态：

已下证

授权日期：

2020-05-05

合作方式：

开放性许可

摘要：

本发明公开了一种紫外LED外延结构。这种紫外LED外延结构包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n型AlGaN层、多量子阱区、复合结构区和p型GaN层;其中,复合结构区自下而上依次由AlxGa1 xN凹层、p型AlyGa1 yN电子阻挡层和p型AlzGa1 zN空穴注入层组成。本发明通过单独或联合调控复合结构区的各部分AlGaN的Al组分,获得的复合结构区既能减少多量子阱区的电子泄漏,又能增加空穴注入。本发明提供的外延结构能增强辐射复合,提高紫外LED的光输出功率⊙

附图：