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Pd纳米线修饰电极及其制备方法和用途

发布者：

系统发布

联系方式：

平台代办

申请（专利权）人：

东莞理工学院

发明（设计）人：

价格类型：

一口价

价格：

专利号：

CN201611120934.4

分类名称：

专利类型：

发明

专利状态：

已下证

授权日期：

2019-06-04

合作方式：

开放性许可

摘要：

本发明涉及电化学领域,具体涉及Pd纳米线修饰电极及其制备方法和用途,Pd纳米线修饰电极的制备方法包括以下步骤,①制备AAO模板,AAO模板双通后进行导电化处理;②将步骤①中的双通AAO模板贴在Pt电极表面,进行直流电沉积以使AAO模板固定于Pt电极表面;③将表面固定有AAO模板的Pt电极于溶液中浸没,取浸没后的电极冲洗得到有序的PdNAs,阴干,即得Pd纳米线修饰电极。采用本发明的Pd纳米线修饰电极检测2,4 噻唑烷二酮的浓度时,检测灵敏度高、线性范围宽、最低检测限低,抗干扰能力强,检测精度高。

附图：

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