硬掩膜组合物和半导体器件的制备方法
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广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院
面议
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CN202211712126.2
发明
已下证
2023-12-05
专利转让
本发明涉及半导体硬掩膜材料技术领域,特别涉及硬掩膜组合物和半导体器件的制备方法。所述硬掩膜组合物,包括单体、聚合物和功能助剂;所述单体的结构如式I所示,所述聚合物由包括如式II所示结构的单体聚合而成。本发明的硬掩膜组合物在高温烘烤成膜后,无针孔和开裂现象,交联密度高、成膜性能好,具有较高的间隙填充性能和平坦性能,并且在高温烘烤工艺过程中产生较少的气态物质逸散量,在形成半导体细微图案工艺过程中可发挥优异的功能效果①
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