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一种宽带白光长余辉材料及其制备方法

发布者：

系统发布

联系方式：

平台代办

申请（专利权）人：

华南理工大学

发明（设计）人：

价格类型：

面议

价格：

面议

专利号：

CN201310224050.3

分类名称：

专利类型：

发明

专利状态：

已下证

授权日期：

2015-09-16

合作方式：

专利转让

摘要：

本发明公开了一种宽带白光长余辉材料,基体材料为A_ZB_YC_XO_(Z+1.5Y+2X),其中A取自Zn;B为Al或Ga;C为Si、Ge、Sn中的一种;0.5≤X≤5,1≤Y≤3,1≤Z≤10,Z/X=2/1;基体材料中掺杂0~20mol%的M,其中M为碱金属元素、碱土金属元素一种或者两种。本发明还公开了上述材料的制备方法。本发明制备的长余辉发光材料发光范围位于300nm~800nm,发光峰位于520nm。此种材料首先可以在200nm~350nm范围内被激发,发射出300nm~800nm,发光峰位于520nm的宽带荧光,并且具备长余辉特性,余晖时间大于2h。

附图：