刻蚀液及其制备方法、应用
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广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院
面议
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CN202111368823.6
发明
已下证
2023-03-14
专利转让
本发明涉及一种刻蚀液,包含如下重量百分比的组分:磷酸70%~85%、硫酸0.1%~1.5%、四甲基氢氧化铵0.1%~5%、羟基乙叉二膦酸0.5%~6.8%、铵盐0.2%~8%、以及水6%~29.1%。上述刻蚀液能够高选择性地去除氮化硅膜,对氮化硅膜的刻蚀速率高,且在针对存储芯片中由氮化硅膜和二氧化硅膜组成的层叠结构中,能够抑制对二氧化硅膜的刻蚀,刻蚀液的寿命长且能适应存储器层叠结构层数快速增加的制造工艺。与传统的采用单一组分的磷酸水溶液作为刻蚀液相比,上述的刻蚀液对氮化硅膜的刻蚀选择比更大,刻蚀选择性更强。
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